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对于导电性能不好的样品如半导体材料，绝缘体薄膜，在电子束的作用下。

其表面会产生一定的负电荷积累，这就是俄歇电子能谱中的荷电效应·样品表面荷电相当于给表面自由的俄歇电子增加了一定的额外电压， 使得测得的俄歇动能比正常的要低·在俄歇电子能谱中。

由于电子束的束流密度很高，样品荷电是一个很严重的问题·有些导电性不好的样品，经常因为荷电严重而不能获得俄歇谱·但由于高能电子的穿透能力以及样品表面二次电子的发射作用。

对于一般在100nm厚度以下的绝缘体薄膜，如果基体材料能导电的话，其荷电效应几乎可以自身消除·因此。

对于一般的薄膜样品，一般不用考虑其荷电效应·。

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